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Analizador para componentes semiconductores

Analizador para componentes semiconductores

Peak DCA55
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Analizador para componentes semiconductores.

Specifications

  • Specification Summary at 20°C (68°F) unless otherwise specified
  • corriente de pico de pruebas en cortocircuito (Isc): de -5.5 mA a 5.5 mA
  • tensión de pico de pruebas en circuito abierto (Voc): de -5.1 V a 5.1 V
  • transistor:
    • rango de ganancia (Hfe): 4 - 65 000
    • precisión de ganancia: ± 3% ± 5 Hfe
    • tensión de prueba Vceo: 2.0 V - 3.0 V
    • precisión Vbe: de -2% -20 mV a +2% + 20 mV
    • VBE para Darlington (shunted): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)
    • umbral shunt base-emitter: 50 k&Omega, - 70 k&Omega,
    • corriente de prueba colector BJT: 2.45 mA - 2.55 mA
    • corriente de fuga BJT aceptable: 0.7 mA
    • MOSFET:
      • rango 'gate threshold': 0.1 V - 5.0 V
      • presisión de umbral: de -2% -20 mV a +2% + 20 mV
      • corriente de prueba 'drain': 2.45 mA - 255 mA
      • resistencia 'gate': 8 k&Omega,
    • corriente de prueba 'depletion drain': 4.5 mA
    • corriente de prueba drain-source JFET: 0.5 mA - 5.5 mA
  • Tiristor/Triac:
    • corriente de prueba 'gate': 4.5 mA
    • corriente de prueba 'load': 5.0 mA
  • diodo:
    • corriente de prueba: 5.0 mA
    • presición de tensión: de -2% -20 mV a +2% + 20 mV
    • Vf para la identificación de LEDs: 1.50 V - 4.00 V
    • short circuit threshold (umbral cortocircuito): 10 &Omega,
  • batería:
    • tipo: batería alcalina MN21 / L1028 / GP23A 12 V
    • rango de tensión: 7.50 V - 12 V
    • indicación de batería baja: < 8.5 V
  • dimensiones: 103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8")
  • Weight per product (nett): 0.098kg (3.5oz)
  • temperatura de funcionamiento: 0°C
  • 50°C (32F
  • 122F)

Features

  • identificación automática de componentes
  • identificación automática de la configuración de los pines
  • Identificación de características especiales de los componentes, tales como protección de diodos o puentes de resistencias en transistores
  • transistores bipolares: medición de ganancia y corriente de fuga, detección de silicio y germanio
  • medición de la tensión umbral en la puerta para Enhacement Mode MOSFETs
  • medición de caídas de tensión en semiconductores para diodos, LEDs y transistores (Base-Emitter)
  • desactivación automática y manual
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