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Analyseur de composants semi-conducteurs

Analyseur de composants semi-conducteurs

Peak DCA55
75,00 $US

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Analyseur de composants semi-conducteurs.

Specifications

  • Specification Summary at 20°C (68°F) unless otherwise specified
  • courant crête de court-circuit coupé: -5.5 mA jusqu'à 5.5 mA
  • tension crête de court-circuit permanent: -5.1 V jusqu'à 5.1 V
  • transistor:
    • plage de gain (HFE): 4 - 65 000
    • précision de gain: ± 3% ± 5 Hfe
    • tension maximale de collecteur-à-émetteur (VCEO): 2.0 V - 3.0 V
    • précision de tension base-émetteur VBE: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
    • tension base-émetteur VBE pour transistor Darlington (shunted): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)
    • seuil de résistance shunt base-émetteur: 50 k&Omega, - 70 k&Omega,
    • courant de collecteur BJT: 2.45 mA - 2.55 mA
    • courant de fuite acceptable BJT: 0.7 mA
    • MOSFET:
      • plage de tension de grille-source: 0.1 V - 5.0 V
      • précision de seuil: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
      • courant drain: 2.45 mA - 255 mA
      • résistance de grille: 8 k&Omega,
    • courant du drain d'appauvrissement: 4.5 mA
    • courants drain-source JFET: 0.5 mA - 5.5 mA
  • thyristor/Triac:
    • courant de grille: 4.5 mA
    • courant de maintien: 5.0 mA
  • diode:
    • courant de test: 5.0 mA
    • précision de tension: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
    • tension directe pour identification LED: 1.50 V - 4.00 V
    • seuil de court-circuit: 10 &Omega,
  • batterie:
    • type: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkaline
    • plage de tension: 7.50 V - 12 V
    • seuil d'alarme: 8.25 V
  • dimensions: 103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8")
  • Weight per product (nett): 0.098kg (3.5oz)
  • température de travail: 0°C
  • 50°C (32F
  • 122F)

Features

  • identification automatique des composants
  • identification automatique des broches de connexion
  • identification de particularités comme la détection des diodes de protection et la détection des résistances shunt
  • transistors bipolaires: mesure du gain en courant et de courant de fuite, détection à diode silicium et germanium
  • mesure de la tension de seuil pour les MOSFET à enrichissement
  • mesure de la tension directe pour diodes, LED et jonctions base-émetteur des transistors
  • extinction automatique et manuelle
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